RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

总分
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

总分
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 33
    左右 15% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    23400 left arrow 21300
    左右 1.1% 更高的带宽
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
报告一个错误

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 10.2
  • 内存带宽，mbps
    23400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3419 left arrow 2764

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB RAM的比较

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
内存RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
内存RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
内存RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
内存RAM
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
内存RAM