Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Puntuación global
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Puntuación global
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 33
    En 15% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.4 left arrow 14.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.5 left arrow 10.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    23400 left arrow 21300
    En 1.1% mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 33
  • Velocidad de lectura, GB/s
    17.4 left arrow 14.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    14.5 left arrow 10.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    23400 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    3419 left arrow 2764
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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