RAM-Vergleich Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Gesamtnote

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 17000

Rund um 1.25% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

22 36

Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.7 15.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.7 11.8

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2497 3066

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns