RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
36
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
22
Velocità di lettura, GB/s
15.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
3066
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link