RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
36
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
3066
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link