RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
32
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.6
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
22.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3837
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9L1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link