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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
32
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
22.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3837
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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