RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
32
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
22.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3837
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link