RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
32
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3837
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link