RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
37
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3285
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link