RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3285
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link