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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3285
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
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