RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
37
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3486
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link