RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3486
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link