RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
37
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
26
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3486
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link