Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Gesamtnote
star star star star star
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Unterschiede

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 37
    Rund um -6% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16 left arrow 13.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 8.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    37 left arrow 35
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 16.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 12.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2143 left arrow 3127
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche