RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
15.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3741
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link