RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
81
Rund um 65% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
1456
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link