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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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3692
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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