Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Pontuação geral
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 28
    Por volta de -4% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.4 left arrow 12.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.5 left arrow 7.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 8500
    Por volta de 3.01 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.7 left arrow 17.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.5 left arrow 14.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1988 left arrow 3692
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações