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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2865
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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