RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2865
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link