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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.7
15.7
写入速度,GB/s
7.5
12.8
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2865
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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