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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.7
15.7
写入速度,GB/s
7.5
12.8
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2865
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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