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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
15.5
写入速度,GB/s
8.0
9.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2496
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
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