RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2565
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link