RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
34
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2565
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link