Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 34

Около 18% меньшая задержка

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.2 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.9 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 8500

Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 34
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 14.2
Скорость записи, Гб/сек

7.5 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 19200

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 2565

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

модули RAM