RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
28
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
21.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
16.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3695
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link