RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
10.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2751
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link