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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2751
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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