RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
56
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3496
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Mushkin 991586 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link