RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
32
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2706
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link