RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2706
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link