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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2706
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
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