RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2706
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link