RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2706
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link