RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2706
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link