RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2865
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link