RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
16.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3866
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link