RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
16.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3866
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link