RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
11.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
2656
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link