RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2656
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link