RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
41
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
2656
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link