RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2656
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link