Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Gesamtnote
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Unterschiede

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 49
    Rund um -58% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.7 left arrow 10.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.3 left arrow 8.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 17000
    Rund um 1.25 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    49 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 15.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.7 left arrow 13.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2427 left arrow 3318
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RAM 1
RAM 2

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