RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
49
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.7
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
3318
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link