RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
49
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
13.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
3318
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link