RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
49
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
3318
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link