RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
44
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3587
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link