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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
11.2
17.7
写入速度,GB/s
8.1
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3587
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
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