RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3587
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link