RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
44
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
27
Velocità di lettura, GB/s
11.2
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3587
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965426-079.A00LF 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link